我国留美专家合成纳米带

　　美国亚特兰大佐治亚理工学院的三位中国科学家王中林教授、潘正伟博士和戴祖荣博士。在世界上首次发现并合成半导体氧化物纳米带状结构，这是纳米材料合成领域的又一重大突破。

　　王中林教授等人利用高温固体气相法，成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、表面干净，并且内部无缺陷、无位错，是一理想的单晶线型薄片结构。

　　“纳米带”的横截面是一个窄矩型结构，带宽为30至300纳米，厚5至10纳米，而长度可达几毫米。和碳纳米管以及硅和复合半导体线状结构相比，“纳米带”是迄今唯一被发现具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构，而且具有比碳纳米管更独特和优越的结构和物理性能。